Transistor NTD20N06LT4G

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.83fr	1.98fr
5 - 9	1.74fr	1.88fr
10 - 24	1.65fr	1.78fr
25 - 49	1.29fr	1.39fr
50 - 99	1.26fr	1.36fr
100 - 249	1.23fr	1.33fr
250 - 4627	1.17fr	1.26fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.83fr	1.98fr
5 - 9	1.74fr	1.88fr
10 - 24	1.65fr	1.78fr
25 - 49	1.29fr	1.39fr
50 - 99	1.26fr	1.36fr
100 - 249	1.23fr	1.33fr
250 - 4627	1.17fr	1.26fr

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Transistor NTD20N06LT4G. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N06LG. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 00:25.

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