Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72fr | 1.86fr |
5 - 9 | 1.64fr | 1.77fr |
10 - 24 | 1.55fr | 1.68fr |
25 - 49 | 1.46fr | 1.58fr |
50 - 99 | 1.43fr | 1.55fr |
100 - 249 | 1.09fr | 1.18fr |
250 - 808 | 1.03fr | 1.11fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72fr | 1.86fr |
5 - 9 | 1.64fr | 1.77fr |
10 - 24 | 1.55fr | 1.68fr |
25 - 49 | 1.46fr | 1.58fr |
50 - 99 | 1.43fr | 1.55fr |
100 - 249 | 1.09fr | 1.18fr |
250 - 808 | 1.03fr | 1.11fr |
Transistor NTD3055L104T4G. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 55L104G. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.
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