Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 4.82fr | 5.21fr |
2 - 2 | 4.58fr | 4.95fr |
3 - 4 | 4.34fr | 4.69fr |
5 - 9 | 4.10fr | 4.43fr |
10 - 19 | 4.00fr | 4.32fr |
20 - 29 | 3.91fr | 4.23fr |
30 - 30 | 3.57fr | 3.86fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 4.82fr | 5.21fr |
2 - 2 | 4.58fr | 4.95fr |
3 - 4 | 4.34fr | 4.69fr |
5 - 9 | 4.10fr | 4.43fr |
10 - 19 | 4.00fr | 4.32fr |
20 - 29 | 3.91fr | 4.23fr |
30 - 30 | 3.57fr | 3.86fr |
Transistor NTE130. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Remarque: hFE 20...70. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 11:25.
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