Transistor NTE219

Quantité	HT	TTC
1 - 1	7.23fr	7.82fr
2 - 2	6.86fr	7.42fr
3 - 4	6.50fr	7.03fr
5 - 9	6.14fr	6.64fr
10 - 15	6.00fr	6.49fr

Quantité	U.P
1 - 1	7.23fr	7.82fr
2 - 2	6.86fr	7.42fr
3 - 4	6.50fr	7.03fr
5 - 9	6.14fr	6.64fr
10 - 15	6.00fr	6.49fr

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Quantité en stock : 15

Lot de 1

Transistor NTE219. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Remarque: hFE 20...70. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.

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