Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72fr | 1.86fr |
5 - 9 | 1.63fr | 1.76fr |
10 - 24 | 1.55fr | 1.68fr |
25 - 49 | 1.46fr | 1.58fr |
50 - 99 | 1.43fr | 1.55fr |
100 - 249 | 1.39fr | 1.50fr |
250 - 779 | 1.32fr | 1.43fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72fr | 1.86fr |
5 - 9 | 1.63fr | 1.76fr |
10 - 24 | 1.55fr | 1.68fr |
25 - 49 | 1.46fr | 1.58fr |
50 - 99 | 1.43fr | 1.55fr |
100 - 249 | 1.39fr | 1.50fr |
250 - 779 | 1.32fr | 1.43fr |
Transistor P2804BDG. Transistor. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Dissipation de puissance maxi: 32W. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.
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