Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.02fr | 2.18fr |
5 - 9 | 1.91fr | 2.06fr |
10 - 24 | 1.81fr | 1.96fr |
25 - 49 | 1.71fr | 1.85fr |
50 - 99 | 1.67fr | 1.81fr |
100 - 249 | 1.63fr | 1.76fr |
250 - 751 | 1.55fr | 1.68fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.02fr | 2.18fr |
5 - 9 | 1.91fr | 2.06fr |
10 - 24 | 1.81fr | 1.96fr |
25 - 49 | 1.71fr | 1.85fr |
50 - 99 | 1.67fr | 1.81fr |
100 - 249 | 1.63fr | 1.76fr |
250 - 751 | 1.55fr | 1.68fr |
Transistor P5504ED. Transistor. C (in): 690pF. C (out): 310pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.
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