Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.37fr | 1.48fr |
5 - 9 | 1.31fr | 1.42fr |
10 - 24 | 1.24fr | 1.34fr |
25 - 49 | 1.17fr | 1.26fr |
50 - 99 | 1.14fr | 1.23fr |
100 - 249 | 1.11fr | 1.20fr |
250 - 363 | 1.06fr | 1.15fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.37fr | 1.48fr |
5 - 9 | 1.31fr | 1.42fr |
10 - 24 | 1.24fr | 1.34fr |
25 - 49 | 1.17fr | 1.26fr |
50 - 99 | 1.14fr | 1.23fr |
100 - 249 | 1.11fr | 1.20fr |
250 - 363 | 1.06fr | 1.15fr |
Transistor P75N02LD. Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 170A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 75A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.
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