Transistor PSMN015-100P

Transistor PSMN015-100P. Transistor. C (in): 4900pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 240A. Id (T=100°C): 60.8A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.