Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.43fr | 3.71fr |
5 - 9 | 3.26fr | 3.52fr |
10 - 24 | 3.09fr | 3.34fr |
25 - 49 | 2.92fr | 3.16fr |
50 - 99 | 2.85fr | 3.08fr |
100 - 249 | 2.78fr | 3.01fr |
250+ | 2.68fr | 2.90fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.43fr | 3.71fr |
5 - 9 | 3.26fr | 3.52fr |
10 - 24 | 3.09fr | 3.34fr |
25 - 49 | 2.92fr | 3.16fr |
50 - 99 | 2.85fr | 3.08fr |
100 - 249 | 2.78fr | 3.01fr |
250+ | 2.68fr | 2.90fr |
Transistor PSMN035-150P. Transistor. C (in): 4720pF. C (out): 456pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 118 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 11:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.