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Transistor RFD14N05L

Transistor RFD14N05L
Quantité HT TTC
1 - 4 2.13fr 2.30fr
5 - 9 2.02fr 2.18fr
10 - 24 1.92fr 2.08fr
25 - 49 1.81fr 1.96fr
50 - 99 1.77fr 1.91fr
100 - 107 1.72fr 1.86fr
Quantité U.P
1 - 4 2.13fr 2.30fr
5 - 9 2.02fr 2.18fr
10 - 24 1.92fr 2.08fr
25 - 49 1.81fr 1.96fr
50 - 99 1.77fr 1.91fr
100 - 107 1.72fr 1.86fr
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Quantité en stock : 107
Lot de 1

Transistor RFD14N05L. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFD14N05L. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.

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