Transistor RFD14N05SM9A

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.38fr	1.49fr
5 - 9	1.31fr	1.42fr
10 - 24	1.24fr	1.34fr
25 - 49	1.18fr	1.28fr
50 - 99	1.15fr	1.24fr
100 - 249	0.75fr	0.81fr
250 - 2495	0.71fr	0.77fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.38fr	1.49fr
5 - 9	1.31fr	1.42fr
10 - 24	1.24fr	1.34fr
25 - 49	1.18fr	1.28fr
50 - 99	1.15fr	1.24fr
100 - 249	0.75fr	0.81fr
250 - 2495	0.71fr	0.77fr

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Quantité en stock : 2495

Lot de 1

Transistor RFD14N05SM9A. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F14N05. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.

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