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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor RFD8P05SM

Transistor RFD8P05SM
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.90fr 2.05fr
5 - 9 1.81fr 1.96fr
10 - 24 1.71fr 1.85fr
25 - 49 1.62fr 1.75fr
50 - 99 1.58fr 1.71fr
100 - 146 1.48fr 1.60fr
Quantité U.P
1 - 4 1.90fr 2.05fr
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Transistor RFD8P05SM. Transistor. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 125us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D8P05. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 20A. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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SPD08P06P

SPD08P06P

Transistor. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Dio...
SPD08P06P
Transistor. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 60us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protection G-S: non
SPD08P06P
Transistor. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 60us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protection G-S: non
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