Transistor RJH30H2DPK-M0

Quantité	HT	TTC
1 - 1	12.28fr	13.27fr
2 - 2	11.67fr	12.62fr
3 - 4	11.05fr	11.95fr
5 - 9	10.44fr	11.29fr
10 - 14	10.19fr	11.02fr
15 - 19	9.95fr	10.76fr
20 - 48	9.58fr	10.36fr

Quantité	U.P
1 - 1	12.28fr	13.27fr
2 - 2	11.67fr	12.62fr
3 - 4	11.05fr	11.95fr
5 - 9	10.44fr	11.29fr
10 - 14	10.19fr	11.02fr
15 - 19	9.95fr	10.76fr
20 - 48	9.58fr	10.36fr

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Transistor RJH30H2DPK-M0. Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 80pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Compatibilité: Samsung PS42C450B1WXXU. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.

Documentation technique