Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 12.77fr | 13.80fr |
2 - 2 | 12.13fr | 13.11fr |
3 - 4 | 11.49fr | 12.42fr |
5 - 9 | 10.86fr | 11.74fr |
10 - 14 | 10.60fr | 11.46fr |
15 - 19 | 10.34fr | 11.18fr |
20 - 92 | 9.96fr | 10.77fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 12.77fr | 13.80fr |
2 - 2 | 12.13fr | 13.11fr |
3 - 4 | 11.49fr | 12.42fr |
5 - 9 | 10.86fr | 11.74fr |
10 - 14 | 10.60fr | 11.46fr |
15 - 19 | 10.34fr | 11.18fr |
20 - 92 | 9.96fr | 10.77fr |
Transistor SGH80N60UFDTU. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGH80N60UF. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 80A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 195W. Courant de collecteur maxi (A): 220A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.
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