Transistor SGP15N120

Quantité	HT	TTC
1 - 1	6.29fr	6.80fr
2 - 2	6.78fr	7.33fr
3 - 4	6.68fr	7.22fr
5 - 9	6.50fr	7.03fr
10 - 19	6.49fr	7.02fr
20 - 29	6.41fr	6.93fr
30 - 78	6.19fr	6.69fr

Quantité	U.P
1 - 1	6.29fr	6.80fr
2 - 2	6.78fr	7.33fr
3 - 4	6.68fr	7.22fr
5 - 9	6.50fr	7.03fr
10 - 19	6.49fr	7.02fr
20 - 29	6.41fr	6.93fr
30 - 78	6.19fr	6.69fr

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Transistor SGP15N120. Transistor. RoHS: oui. C (in): 1250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 52A. Ic(T=100°C): 15A. Marquage sur le boîtier: G15N120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 198W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 580 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur, SMPS. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

Documentation technique