Transistor SGW25N120

Quantité	HT	TTC
1 - 1	18.63fr	20.14fr
2 - 2	17.70fr	19.13fr
3 - 4	16.77fr	18.13fr
5 - 9	15.84fr	17.12fr
10 - 14	12.88fr	13.92fr
15 - 19	12.57fr	13.59fr
20 - 51	12.11fr	13.09fr

Quantité	U.P
1 - 1	18.63fr	20.14fr
2 - 2	17.70fr	19.13fr
3 - 4	16.77fr	18.13fr
5 - 9	15.84fr	17.12fr
10 - 14	12.88fr	13.92fr
15 - 19	12.57fr	13.59fr
20 - 51	12.11fr	13.09fr

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Lot de 1

Transistor SGW25N120. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGW25N120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 46A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 990 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

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