Transistor SGW30N60

Quantité	HT	TTC
1 - 1	10.22fr	11.05fr
2 - 2	9.71fr	10.50fr
3 - 4	9.19fr	9.93fr
5 - 9	8.68fr	9.38fr
10 - 14	8.48fr	9.17fr
15 - 19	8.28fr	8.95fr
20 - 82	7.97fr	8.62fr

Quantité	U.P
1 - 1	10.22fr	11.05fr
2 - 2	9.71fr	10.50fr
3 - 4	9.19fr	9.93fr
5 - 9	8.68fr	9.38fr
10 - 14	8.48fr	9.17fr
15 - 19	8.28fr	8.95fr
20 - 82	7.97fr	8.62fr

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Lot de 1

Transistor SGW30N60. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 389 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

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