Transistor SI2304DDS-T1-GE3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.11fr	1.20fr
5 - 9	1.05fr	1.14fr
10 - 24	0.99fr	1.07fr
25 - 49	0.94fr	1.02fr
50 - 99	0.92fr	0.99fr
100 - 249	0.56fr	0.61fr
250 - 2089	0.53fr	0.57fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.11fr	1.20fr
5 - 9	1.05fr	1.14fr
10 - 24	0.99fr	1.07fr
25 - 49	0.94fr	1.02fr
50 - 99	0.92fr	0.99fr
100 - 249	0.56fr	0.61fr
250 - 2089	0.53fr	0.57fr

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Quantité en stock : 2089

Lot de 1

Transistor SI2304DDS-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P4. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 235pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.

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