Transistor SI2306BDS-T1-E3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.49fr	0.53fr
5 - 9	0.47fr	0.51fr
10 - 24	0.44fr	0.48fr
25 - 49	0.42fr	0.45fr
50 - 99	0.41fr	0.44fr
100 - 249	0.40fr	0.43fr
250 - 6822	0.38fr	0.41fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.49fr	0.53fr
5 - 9	0.47fr	0.51fr
10 - 24	0.44fr	0.48fr
25 - 49	0.42fr	0.45fr
50 - 99	0.41fr	0.44fr
100 - 249	0.40fr	0.43fr
250 - 6822	0.38fr	0.41fr

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Quantité en stock : 6822

Lot de 1

Transistor SI2306BDS-T1-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L6. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

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