Transistor SI2308BDS-T1-GE3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.31fr	0.34fr
5 - 9	0.30fr	0.32fr
10 - 24	0.28fr	0.30fr
25 - 49	0.27fr	0.29fr
50 - 99	0.26fr	0.28fr
100 - 249	0.25fr	0.27fr
250 - 8783	0.24fr	0.26fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.31fr	0.34fr
5 - 9	0.30fr	0.32fr
10 - 24	0.28fr	0.30fr
25 - 49	0.27fr	0.29fr
50 - 99	0.26fr	0.28fr
100 - 249	0.25fr	0.27fr
250 - 8783	0.24fr	0.26fr

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Transistor SI2308BDS-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

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