Transistor SI2315BDS-T1-E3

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.46fr	0.50fr
10 - 24	0.44fr	0.48fr
25 - 49	0.42fr	0.45fr
50 - 99	0.39fr	0.42fr
100 - 249	0.38fr	0.41fr
250 - 499	0.37fr	0.40fr
500 - 14076	0.36fr	0.39fr

Quantité	U.P
1 - 9	0.46fr	0.50fr
10 - 24	0.44fr	0.48fr
25 - 49	0.42fr	0.45fr
50 - 99	0.39fr	0.42fr
100 - 249	0.38fr	0.41fr
250 - 499	0.37fr	0.40fr
500 - 14076	0.36fr	0.39fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 14076

Lot de 1

Transistor SI2315BDS-T1-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M5. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 715pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

Documentation technique

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Par email

Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!