Transistor SI2323DS-T1-E3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.13fr	2.30fr
5 - 9	2.02fr	2.18fr
10 - 24	1.91fr	2.06fr
25 - 49	1.81fr	1.96fr
50 - 99	1.77fr	1.91fr
100 - 249	1.72fr	1.86fr
250 - 3353	1.64fr	1.77fr

Quantité	U.P
1 - 4	2.13fr	2.30fr
5 - 9	2.02fr	2.18fr
10 - 24	1.91fr	2.06fr
25 - 49	1.81fr	1.96fr
50 - 99	1.77fr	1.91fr
100 - 249	1.72fr	1.86fr
250 - 3353	1.64fr	1.77fr

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Quantité en stock : 3353

Lot de 1

Transistor SI2323DS-T1-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D3. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.0V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 71 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

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