Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11fr | 1.20fr |
5 - 9 | 1.05fr | 1.14fr |
10 - 24 | 0.99fr | 1.07fr |
25 - 49 | 0.94fr | 1.02fr |
50 - 99 | 0.92fr | 0.99fr |
100 - 249 | 0.90fr | 0.97fr |
250 - 2126 | 0.85fr | 0.92fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11fr | 1.20fr |
5 - 9 | 1.05fr | 1.14fr |
10 - 24 | 0.99fr | 1.07fr |
25 - 49 | 0.94fr | 1.02fr |
50 - 99 | 0.92fr | 0.99fr |
100 - 249 | 0.90fr | 0.97fr |
250 - 2126 | 0.85fr | 0.92fr |
Transistor SI2333CDS-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1225pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.
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