Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.31fr | 0.34fr |
10 - 24 | 0.29fr | 0.31fr |
25 - 49 | 0.28fr | 0.30fr |
50 - 99 | 0.26fr | 0.28fr |
100 - 249 | 0.26fr | 0.28fr |
250 - 499 | 0.25fr | 0.27fr |
500 - 2713 | 0.24fr | 0.26fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.31fr | 0.34fr |
10 - 24 | 0.29fr | 0.31fr |
25 - 49 | 0.28fr | 0.30fr |
50 - 99 | 0.26fr | 0.28fr |
100 - 249 | 0.26fr | 0.28fr |
250 - 499 | 0.25fr | 0.27fr |
500 - 2713 | 0.24fr | 0.26fr |
Transistor SI3441BD. Transistor. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 1.95A. Id (T=25°C): 2.45A. Idss (maxi): 5nA. Idss (min): 1nA. Dissipation de puissance maxi: 1nA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) min.: 0.45V. Nombre de connexions: 6. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.
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