Transistor SI4431BDY-T1-E3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.63fr	1.76fr
5 - 9	1.55fr	1.68fr
10 - 24	1.47fr	1.59fr
25 - 49	1.39fr	1.50fr
50 - 99	1.36fr	1.47fr
100 - 249	0.97fr	1.05fr
250 - 19628	0.93fr	1.01fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.63fr	1.76fr
5 - 9	1.55fr	1.68fr
10 - 24	1.47fr	1.59fr
25 - 49	1.39fr	1.50fr
50 - 99	1.36fr	1.47fr
100 - 249	0.97fr	1.05fr
250 - 19628	0.93fr	1.01fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 19628

Lot de 1

Transistor SI4431BDY-T1-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4431BDY-T1-E3. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

Documentation technique

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Par email

Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!