Transistor SI4532CDY-T1-GE3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.22fr	1.32fr
5 - 9	1.16fr	1.25fr
10 - 24	1.10fr	1.19fr
25 - 49	1.04fr	1.12fr
50 - 99	1.01fr	1.09fr
100 - 249	0.66fr	0.71fr
250 - 1338	0.62fr	0.67fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.22fr	1.32fr
5 - 9	1.16fr	1.25fr
10 - 24	1.10fr	1.19fr
25 - 49	1.04fr	1.12fr
50 - 99	1.01fr	1.09fr
100 - 249	0.66fr	0.71fr
250 - 1338	0.62fr	0.67fr

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Transistor SI4532CDY-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4532CDY-T1-E3. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.14W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

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