Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.54fr | 1.66fr |
5 - 9 | 1.47fr | 1.59fr |
10 - 24 | 1.39fr | 1.50fr |
25 - 49 | 1.31fr | 1.42fr |
50 - 99 | 1.28fr | 1.38fr |
100 - 249 | 1.25fr | 1.35fr |
250 - 2256 | 1.19fr | 1.29fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.54fr | 1.66fr |
5 - 9 | 1.47fr | 1.59fr |
10 - 24 | 1.39fr | 1.50fr |
25 - 49 | 1.31fr | 1.42fr |
50 - 99 | 1.28fr | 1.38fr |
100 - 249 | 1.25fr | 1.35fr |
250 - 2256 | 1.19fr | 1.29fr |
Transistor SI4925BDY. Transistor. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 60 ns. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 7.1A. Idss (maxi): 7.1A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.
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