Transistor SI4946BEY-T1-E3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.39fr	2.58fr
5 - 9	2.27fr	2.45fr
10 - 24	2.15fr	2.32fr
25 - 49	1.51fr	1.63fr
50 - 99	1.47fr	1.59fr
100 - 249	1.44fr	1.56fr
250 - 7498	1.37fr	1.48fr

Quantité	U.P
1 - 4	2.39fr	2.58fr
5 - 9	2.27fr	2.45fr
10 - 24	2.15fr	2.32fr
25 - 49	1.51fr	1.63fr
50 - 99	1.47fr	1.59fr
100 - 249	1.44fr	1.56fr
250 - 7498	1.37fr	1.48fr

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Transistor SI4946BEY-T1-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.052 Ohms @ 4.7A. Marquage du fabricant: SI4946BEY-T1-E3. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

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