Transistor SI9953DY

Transistor SI9953DY. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9953DY. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.