Transistor SKM100GAR123D

Transistor SKM100GAR123D. Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute puissance. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Remarque: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.