Transistor SKW30N60HS

Quantité	HT	TTC
1 - 1	6.97fr	7.53fr
2 - 2	6.62fr	7.16fr
3 - 4	6.27fr	6.78fr
5 - 9	5.93fr	6.41fr
10 - 14	5.79fr	6.26fr
15 - 19	5.65fr	6.11fr
20 - 154	5.44fr	5.88fr

Quantité	U.P
1 - 1	6.97fr	7.53fr
2 - 2	6.62fr	7.16fr
3 - 4	6.27fr	6.78fr
5 - 9	5.93fr	6.41fr
10 - 14	5.79fr	6.26fr
15 - 19	5.65fr	6.11fr
20 - 154	5.44fr	5.88fr

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Transistor SKW30N60HS. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

Documentation technique