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Transistor SPP11N60S5

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Transistor SPP11N60S5. Transistor. C (in): 1460pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 650ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 22A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: 11N60S5. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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