Transistor SPP18P06P

Transistor SPP18P06P. Transistor. C (in): 230pF. C (out): 95pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Protection G-S: diode. Id(imp): 74.8A. Id (T=100°C): 13.2A. Id (T=25°C): 18.7A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 18P06P. Dissipation de puissance maxi: 81W. Résistance passante Rds On: 0.102 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.