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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor SPP20N60S5

Transistor SPP20N60S5
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Transistor SPP20N60S5. Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 20N60S5. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 2400pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 62.1A. Id (T=100°C): 13.1A. Id (T=25°C): 20.7A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 20N60C3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): P-TO220-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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