Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 10.22fr | 11.05fr |
2 - 2 | 9.71fr | 10.50fr |
3 - 4 | 9.19fr | 9.93fr |
5 - 9 | 8.68fr | 9.38fr |
10 - 14 | 6.01fr | 6.50fr |
15 - 19 | 5.86fr | 6.33fr |
20 - 77 | 5.64fr | 6.10fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 10.22fr | 11.05fr |
2 - 2 | 9.71fr | 10.50fr |
3 - 4 | 9.19fr | 9.93fr |
5 - 9 | 8.68fr | 9.38fr |
10 - 14 | 6.01fr | 6.50fr |
15 - 19 | 5.86fr | 6.33fr |
20 - 77 | 5.64fr | 6.10fr |
Transistor SPW20N60C3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60C3. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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