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Transistor SS8050CTA

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Transistor SS8050CTA. Transistor. C (out): 9pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 1.5A. Marquage sur le boîtier: S8050 C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo-Pack). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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