Transistor SSS10N60A

Transistor SSS10N60A. Transistor. C (in): 1750pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 440 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.