Transistor STB12NM50N

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Transistor STB12NM50N. Transistor. C (in): 940pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.8A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

Documentation technique

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