Transistor STB12NM50ND

Quantité	HT	TTC
1 - 4	4.16fr	4.50fr
5 - 9	3.95fr	4.27fr
10 - 24	3.74fr	4.04fr
25 - 49	3.53fr	3.82fr
50 - 80	3.45fr	3.73fr

Quantité	U.P
1 - 4	4.16fr	4.50fr
5 - 9	3.95fr	4.27fr
10 - 24	3.74fr	4.04fr
25 - 49	3.53fr	3.82fr
50 - 80	3.45fr	3.73fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 80

Lot de 1

Transistor STB12NM50ND. Transistor. C (in): 850pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 122 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (avec diode rapide). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

Documentation technique

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Par email

Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!