Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.95fr | 1.03fr |
5 - 9 | 0.90fr | 0.97fr |
10 - 24 | 0.86fr | 0.93fr |
25 - 49 | 0.81fr | 0.88fr |
50 - 99 | 0.79fr | 0.85fr |
100 - 114 | 0.71fr | 0.77fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.95fr | 1.03fr |
5 - 9 | 0.90fr | 0.97fr |
10 - 24 | 0.86fr | 0.93fr |
25 - 49 | 0.81fr | 0.88fr |
50 - 99 | 0.79fr | 0.85fr |
100 - 114 | 0.71fr | 0.77fr |
Transistor STD10NF10. Transistor. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.
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