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Transistor STD10P6F6

Transistor STD10P6F6
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Transistor STD10P6F6. Transistor. C (in): 340pF. C (out): 40pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 7.2A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10P6F6. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 64 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

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