Transistor STD13NM60N

Transistor STD13NM60N. Transistor. C (in): 790pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.