Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25fr | 1.35fr |
5 - 9 | 1.18fr | 1.28fr |
10 - 24 | 1.12fr | 1.21fr |
25 - 49 | 1.06fr | 1.15fr |
50 - 99 | 1.04fr | 1.12fr |
100 - 249 | 1.01fr | 1.09fr |
250 - 484 | 0.96fr | 1.04fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25fr | 1.35fr |
5 - 9 | 1.18fr | 1.28fr |
10 - 24 | 1.12fr | 1.21fr |
25 - 49 | 1.06fr | 1.15fr |
50 - 99 | 1.04fr | 1.12fr |
100 - 249 | 1.01fr | 1.09fr |
250 - 484 | 0.96fr | 1.04fr |
Transistor STD4NK60ZT4. Transistor. C (in): 510pF. C (out): 47pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4A. Marquage sur le boîtier: D4NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.
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