Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 10.33fr | 11.17fr |
2 - 2 | 9.82fr | 10.62fr |
3 - 4 | 9.30fr | 10.05fr |
5 - 9 | 8.78fr | 9.49fr |
10 - 14 | 8.58fr | 9.27fr |
15 - 19 | 8.37fr | 9.05fr |
20 - 31 | 8.06fr | 8.71fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 10.33fr | 11.17fr |
2 - 2 | 9.82fr | 10.62fr |
3 - 4 | 9.30fr | 10.05fr |
5 - 9 | 8.78fr | 9.49fr |
10 - 14 | 8.58fr | 9.27fr |
15 - 19 | 8.37fr | 9.05fr |
20 - 31 | 8.06fr | 8.71fr |
Transistor STD5N52U. Transistor. C (in): 529pF. C (out): 71pF. Type de canal: N. Nombre de canaux: 1. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 5N52U. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 1.25 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23.1 ns. Td(on): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 525V. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée. Spec info: Enhancement type. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.
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