Transistor STGW20NC60VD

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.22fr	5.64fr
2 - 2	4.96fr	5.36fr
3 - 4	4.70fr	5.08fr
5 - 9	4.44fr	4.80fr
10 - 19	4.33fr	4.68fr
20 - 29	4.23fr	4.57fr
30 - 50	4.07fr	4.40fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.22fr	5.64fr
2 - 2	4.96fr	5.36fr
3 - 4	4.70fr	5.08fr
5 - 9	4.44fr	4.80fr
10 - 19	4.33fr	4.68fr
20 - 29	4.23fr	4.57fr
30 - 50	4.07fr	4.40fr

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Transistor STGW20NC60VD. Transistor. C (in): 2200pF. C (out): 225pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 44 ns. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60VD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 31 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V. Fonction: onduleurs haute fréquence, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

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