Transistor STP100N8F6

Transistor STP100N8F6. Transistor. C (in): 5955pF. C (out): 244pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 38 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 400A. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: 100N8F6. Dissipation de puissance maxi: 176W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 80V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.