Transistor STP11NM80

Transistor STP11NM80. Transistor. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 612 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P11NM80. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.