Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.40fr | 3.68fr |
5 - 9 | 3.23fr | 3.49fr |
10 - 24 | 3.06fr | 3.31fr |
25 - 49 | 2.89fr | 3.12fr |
50 - 76 | 2.82fr | 3.05fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.40fr | 3.68fr |
5 - 9 | 3.23fr | 3.49fr |
10 - 24 | 3.06fr | 3.31fr |
25 - 49 | 2.89fr | 3.12fr |
50 - 76 | 2.82fr | 3.05fr |
Transistor STP120NF10. Transistor. C (in): 5200pF. C (out): 785pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 152 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. Id (T=100°C): 77A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P120NF10. Dissipation de puissance maxi: 312W. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.
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