Transistor STP12NM50

Transistor STP12NM50. Transistor. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 550V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.