Transistor STP13NM60N

Transistor STP13NM60N. Transistor. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.